图书馆-报告库-中国机械工程学会表面工程分会

Oral PresentationITO/Ag/ITO透明导电电极制备及其在无机全固态电致变色器件的应用

编号：259 访问权限：Participants Only 更新：2020-10-22 08:25:32 浏览：484次收藏取消收藏

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摘要

本文采用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡/银/氧化铟锡（ITO/Ag/ITO，IAI）多层结构，通过在两层ITO薄膜之间插入了一层不同厚度的银薄膜，研究银薄膜厚度对IAI的电学和光学性能的影响。采用SEM、XRD、分光光度计及霍尔效应实验研究银薄膜厚度对IAI的表面形貌、结构、光学透过率及电阻率的影响规律。结果表明，当Ag膜厚度为10 nm时，IAI多层结构表现出最佳的电学和光学性能组合，其性能指数为54.05(方阻为6.14Ω/cm²，光学透过率为90.83%)。为了进一步评价IAI多层结构在无机全固态电致变色器件（ECD）中的应用，分别采用ITO和IAI作为无机全固态电致变色器件的顶电极，制备了结构为ITO/NiOx/LiPON/WO₃/ITO和ITO/NiOx/LiPON/WO₃/IAI 的ECDs，并通过循环伏安法、计时安培法和光谱测量对其电化学和光学性能进行了表征。结果表明，与采用纯ITO作为顶电极的ECD相比，采用IAI顶电极的ECD呈现出略小的光调制幅度，但器件响应速度和循环性能更好。综上所述，IAI多层结构可有效替代ITO，成为无机全固态电致变色器件的透明导电电极。